技術驅動，元件升級

AI/5G/數據中心等需求爆發對元件性能（高頻、低損耗、高精度、小型化）提出更高要求。傳統無源元件接近物理極限，硅基無源解決方案通過3D集成、材料創新和智能化設計，利用半導體工藝在硅片上直接制造電容、電阻、電感，實現芯片級尺寸，具備高頻性能優、精度高、穩定性強及與IC無縫集成（IPD）等優勢，成為產業升級核心驅動力，重構半導體產業鏈格局。 在5G、新能源、AI等領域需求推動下，硅基元件技術持續突破，國產替代加速，其發展關乎企業競爭力和國家科技戰略。未來，隨著3D集成、新材料等技術成熟，硅基元件將滲透至量子計算、6G通信等前沿領域，成為全球科技競爭焦點。

核心突破，前瞻布局

風華高科憑借其高端新型元器件及電子材料等電子信息基礎產品的深厚研發技術積累，前瞻性布局并掌握硅基無源元件產品的核心技術，針對高深寬比刻蝕、納米級高質量薄膜沉積、精密光刻圖形化工藝及薄膜材料分析等技術進行了系統研究，并申請相關專利4件，形成專利保護，下一步將繼續積累核心技術及拓寬上下游應用領域，并針對技術空白區提前布局儲備專利，海外專利延伸至日韓、歐盟市場?；谝陨霞夹g研究推出高度適配小型化、高頻化、及微組裝技術應用需求的三大類硅基阻、容、感系列產品。其中，重點聚焦硅基電容，實現了2D-MIM、2D-MIS及3D-MIM硅基電容的研制；同步開展0202、0404、0606、0808等型號硅基電阻，和微小尺寸，高功率高頻硅基電感產品研發，部分規格型號已完成樣品驗證。

圖1 3D Si-Cap.三維結構圖和微結構

圖2Si-Cap.產品外觀圖

圖3硅基電阻產品外觀圖

多域應用，增長可期

硅基無源元件（電容、電阻、電感）憑借高密度集成能力和工藝兼容性，成為下一代集成方案的關鍵支撐。目標市場涵蓋高端手機RF模塊、數據中心光模塊/GPU、AI加速卡、5G基站、汽車雷達/域控制器、先進封裝等。

根據行業預測，2025-2030年全球硅基集成無源器件市場將以12.3%的復合增長率擴張，在光通信、AI芯片、新能源汽車等領域形成萬億級應用空間。