一直以來，片式電阻器的封端技術沿用浸封方式進行封端，質量穩定性不好，效率不高，材料成本高，生產成本明顯偏高，而產品價格的下降和原材料價格的上漲，大大削弱了片式電阻器的競爭力。在成本壓力當前，片阻的競爭力何在？在激烈競爭之中，片阻的出路何在？

一、全方位的賤金屬化

公司領導指出，當前電子元件最重要的技術趨勢是微型化和超微型化，以及全方位的賤金屬化。在這樣的發展趨勢下，片式電阻器的技術發展也必然要圍繞這個重要的趨勢而尋找出路。真空濺射封端技術屬于真空濺射技術應用于片阻領域，使端華公司技術創新呈現出來的一個新亮點，在片式電阻器的生產中扮演著舉足輕重的角色。

真空濺射封端技術是通過真空濺射把賤金屬材料附著在產品的端頭上，形成一層致密的導電薄膜，完成整個封端過程，取代了原來的貴金屬封端材料。如果說鎳電極MLCC產品的成功是標志著一場電子行業中以賤金屬代替貴金屬技術革命的開始，那么真空濺射技術應用于片阻的成功則宣告了在競爭領域中全方位賤金屬化技術創新的全面開展。

應用真空濺射封端技術降成本最顯著的地方分別為有賤金屬代替貴金屬和膜層厚度非常薄。隨著產品不斷的向小型化發展，現有的傳統浸封封端工藝已很難生產比0402產品還小的產品，甚至基本不能生產。真空濺射封端技術是專長于小型化的元件，比0402還小的產品也能較好的生產。這正是電子元件微型化和賤金屬化的重要技術保障之一。

二、千方百計降成本

由于現在的電子行業競爭越來越激烈,產品的質量都相差不大,價格競爭成為了競爭的焦點。誰的成本低，賣價低,在市場就有立足之地。

真空濺射封端工藝比傳統的浸封工藝質量好、效率高、成本低、更適應小規格（0402及以下尺寸）片阻的生產。由于所用材料是較便宜的Ni—Cr合金，其成本明顯比原來浸封方式用的Ag漿材料低。

真空濺射封端的生產成本低，符合發展的潮流，可以繼續保持我公司在市場上的競爭力。應用該技術，生產流程更加優化，濺射后直接可以電鍍，減少了封端后的固化、燒結環節，既節省了燒結設備，也節省了人力、物力和電力。使用的Ni-Cr材料，不會引起環境的危害。因為用真空濺射方法鍍膜不會產生六價Cr離子。符合歐盟WEEE和R0HS標準。

根據新技術與傳統工藝的成本對比分析可知，如果把真空濺射技術推廣到所有的片式電阻產品，則按每年可做約360億只算，每年可節約500多萬。而且假如貴金屬材料進一步漲價，其成本優勢更加明顯，節約金額還會不斷的上升。

三、與國際水平接軌

目前國際上很多片阻廠家已在大規模使用真空濺射封端工藝。特別是臺灣同行大規模采用了真空濺射技術封端。當前，真空濺射封端技術在端華公司主要應用在0402產品的封端生產上。并已經開始向0603、0805等產品進行推廣。

真空濺射技術的優點是成本低,專長是生產小規格的產品而且與薄膜技術有相似之處。為未來開發更小型的電阻產品打下堅實的基礎，也為薄膜產品的開發制造了可能。

在國際上已經大規模地推行真空濺射封端工藝的今天，我們只要早一天全面用真空濺射工藝替代浸封工藝，就早一天與國際水平接軌，使得我們的產品無論在產品的質量上還是在成本上都保持具有與國際競爭的優勢。目前我司對真空濺射工藝已趨于成熟，有大規模推行真空濺射工藝的技術積累，可以迅速形成大規模的生產能力，徹底替代落后的浸封工藝。