近日，風(fēng)華高科于2011年在美國申請的1項(xiàng)發(fā)明專利——《ANTI-REDUCTIVE HIGH-FREQUENCY CERAMIC DIELECTRIC MATERIAL SINTERED AT LOW TEMPERATURE AND MATCHED WITH COPPER INTERNAL ELECTRODE》（中文譯名：一種抗還原性銅內(nèi)電極高頻低溫?zé)Y(jié)陶瓷介質(zhì)材料；發(fā)明人名單：宋蓓蓓、宋永生、莫方策、任海東、王孝國、郭精華等）獲得了由美國專利商標(biāo)局頒發(fā)的授權(quán)專利證書，初步實(shí)現(xiàn)公司在北美地區(qū)專利授權(quán)量“零”的突破。

該專利技術(shù)由公司下屬電子工程開發(fā)分公司研發(fā)，在全球范圍內(nèi)公開了一種抗還原銅內(nèi)電極高頻低溫?zé)Y(jié)陶瓷介質(zhì)材料,可用于銅內(nèi)電極多層陶瓷電容器制作。由主晶相、改性添加劑、燒結(jié)助熔劑組成，主晶相的結(jié)構(gòu)式是MgxBa(1-x) ZrySi(1-y)O3 ，其中0.8≤x≤0.95，0.05≤y≤0.2，所述的改性添加劑是MnO2、CaO、Li2O、Bi2O3、TiO2中的一種或幾種；所述的燒結(jié)助熔劑是B2O3、SiO2、ZnO、CuO、K2O、BaO中的一種或幾種。 上述陶瓷介質(zhì)材料滿足EIA標(biāo)準(zhǔn)COG特性,且材料具備均一、粒度分布均勻、分散性高、成型工藝好的特點(diǎn)，符合環(huán)保要求，介電特性優(yōu)良，已達(dá)到國際先進(jìn)水平，具備良好的全球市場前景。