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風華高科和華南理工大學等聯合申報2020年廣東省科學技術獎項目公示

各相關單位:

現對我司合作申報2020年度廣東省科學技術獎項目《高導互聯印刷材料及其大面積顯示應用》予以公示,公示期限為7天(202084日至2020812日),在公示期內任何單位或個人如對項目有異議,請以書面形式向股份研究院處提出,并附上有效證明材料,證明材料需加蓋單位公章或簽署真實姓名(并注明聯系方式)。逾期不予受理。

 

聯系人:郭韌         電話0758-6923580

 

2020年度廣東省科學技術獎公示表

(自然科學獎、技術發明獎、科技進步獎格式)

 

項目名稱

高導互聯印刷材料及其大面積顯示應用

主要完成單位

華南理工大學

廣東風華高新科技股份有限公司

TCL華星光電技術有限公司

華南師范大學

廣東聚華印刷顯示技術有限公司

主要完成人

(職稱、完成單位、工作單位)

1.寧洪龍(研究員、華南理工大學、華南理工大學,項目總負責人,負責項目的總體策劃、關鍵技術指導、實施、協調。本人對本項目《主要技術發明》中所列的第1、2、3項技術發明作出貢獻,是這幾項技術發明的總體策劃人。)

2.吳海斌(高級工程師、廣東風華高新科技股份有限公司、廣東風華高新科技股份有限公司,主要負責項目電極材料的策劃和技術指導,參與主要技術發明1、2的開發,對項目所列的1、2項技術發明做出貢獻。)

3.姚日暉(副教授、華南理工大學、華南理工大學,參與項目的策劃和實施。負責印刷電極墨水的開發。對項目所列的23項技術發明做出貢獻。)

4.付東(高級工程師、廣東聚華印刷顯示技術有限公司、廣東聚華印刷顯示技術有限公司,負責項目印刷銀電極部分的策劃和實施。系統性地研究了印刷銀電極的打印工藝,干燥工藝及烘烤工藝。參與項目工作時間占本人工作量的40%。對項目所列的第3項技術發明做出貢獻。)

5.趙斌(高級工程師、TCL華星光電技術有限公司、TCL華星光電技術有限公司,參與高性能a-IGZO薄膜晶體管的開發。重點研究印刷電極和半導體接觸特性,并進行界面改性。對項目所列的第3項技術發明做出貢獻。)

6.陶瑞強(未取得、華南師范大學、華南理工大學,參與項目調研、研發、文案撰寫,參與印刷高導互聯高精度圖形化膜層制備與機制分析,對項目所列的第3項技術發明做出貢獻。)

7.余磊(未取得、廣東聚華印刷顯示技術有限公司、廣東聚華印刷顯示技術有限公司,負責項目印刷銀電極部分實施和分析測試。并對印刷銀電極在印刷OLED的應用做了系統性預研,包括優化印刷銀電極的薄膜厚度及均勻性,方塊電阻,表面粗糙度等。參與項目工作時間占本人工作量的40%。對項目所列的第3項技術發明做出貢獻。)

8.章勇(教授、華南師范大學、華南師范大學,參與高導互聯燒結技術研究,提出了銀納米粒子與乙酸銀、乙醇和乙二醇等混合形成銀鹽/銀納米粒子的復合墨水,實現了低溫快速燒結的印刷電路方法;此外,提出了熱燒結與電流焦耳熱燒結相結合的印刷電極燒結方法。對項目所列的第3項技術發明做出貢獻。)

9.陳建秋(未取得、華南理工大學、華南理工大學,參與項目調研、研發,器件的分析測試等工作,參與了高性能金屬氧化物TFT器件單元及其陣列制備,對項目所列的第3項技術發明做出貢獻。)

10.羅文忠(工程師、廣東風華高新科技股份有限公司、廣東風華高新科技股份有限公司,負責項目主要技術發明2實施中的工藝及生產管理,解決了銀粒尺寸和形貌控制問題,參與項目工作時間占本人工作量的40%。對主要技術發明2做出貢獻。)

11.陸旭兵(教授、華南師范大學、華南師范大學,參與項目器件結構與材料的策劃與實施,參與印刷高導互聯器件單元介電層的膜層制備與界面修飾。對項目所列的第3項技術發明做出貢獻。)

12.尚小東(高級工程師、廣東風華高新科技股份有限公司、廣東風華高新科技股份有限公司,負責項目納米銀粉部分的策劃和實施。負責印刷電極納米銀粉的表面修飾與改性應用,創新性提出銀粉吸附分散,脫附改性的制備方法。參與項目工作時間占本人工作量的40%。對項目所列的第2項技術發明做出貢獻。)

13.王磊(副研究員、華南理工大學、華南理工大學,參與了高穩定性的金屬氧化物半導體靶材,并使用該靶材開發了底柵極背溝道刻蝕,底柵極刻蝕阻擋,頂柵極多種結構的薄膜晶體管,為本項目印刷銀電極在薄膜晶體管中的應用提供了基礎,對項目所列的第3項技術發明做出貢獻。)

14.徐苗(高級工程師、華南理工大學、華南理工大學,參與了印刷銀電極薄膜晶體管面向大面積顯示應用的器件測試及驗證,對項目所列的第3項技術發明做出貢獻。)

15.彭俊彪(教授、華南理工大學、華南理工大學,負責高精度印刷電極圖形化技術的策劃和開發,突破傳統打印方式限制,獲得2.4μm短溝道,對項目所列的第3項技術發明做出貢獻。)

代表性論文

專著目錄

論文1<Direct patterning of silver electrodes with 2.4μm channel length by piezoelectric inkjet printing >

論文2<Reduced contact resistance of a-IGZO thin film transistors with inkjet-printed silver electrodes >

論文3<Gel-switchable droplet front for large-scale uniformity of inkjet printed silver patterns >

論文4<A novel point-to-point interface protocol for thin film transistor-liquid >

專著1<印刷顯示材料與技術>

知識產權名稱

專利1<一種納米銀粉、其制備方法及應用>(ZL201710789625.4)

專利2<銀電極漿料>(ZL201310357268.6)

專利3<一種薄膜晶體管印刷電極的制備方法>(ZL201610665741.0)

專利4<一種噴墨打印薄膜與基板界面觀測與調控的方法>(ZL201710512228.2)

專利5<一種直接噴墨打印短溝道電極的方法>(ZL201711269969.9)

專利6<一種紫外光調控噴墨打印金屬線邊緣雜散顆粒的方法>(ZL201710512247.5)

專利7<一種單分散性的銀納米立方及其制備方法及其導電油墨>(ZL201510396198.4)

專利8<電荷產生層、電致發光器件及其制備方法>(ZL201710661330.9)

標準1<電子元器件用材料金屬粉>(Q/FH-GK11-2017)

標準2<電子元器件用材料電子漿料>(Q/FH-GK10-2017)

 

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